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《第五届新型太阳能电池学术研讨会摘要集(铜基薄膜太阳能电池篇)》2018年
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Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池异质结调控

张毅  李建军  刘晓茹  孙云  
【摘要】:近年来,Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)薄膜太阳电池由于其组成元素储量丰富、无毒、性能稳定等优点受到了广泛关注。目前CZTSSe薄膜太阳电池的世界最高效率是由美国IBM研究中心的Mitzi教授报道的12.6%。该效率与其理论最高转换效率32.8%之间有很大的距离。究其原因,电池的V_(oc)损失过高是限制CZTSSe电池转换效率提升的一个关键原因。根据对CZTSSe电池的变温I-V性能研究表明,CZTSSe电池的激活能EA远低于其带隙,说明界面复合是CZTSSe电池中的主要复合机制。CZTSSe电池的界面复合一般包括三个方面:(i)吸收层/缓冲层异质结间的能带不匹配增加了界面复合几率;(ii)界面处的二次相使得少数载流子复合增加或增加了电池的并联通道;(iii)由于Mo和CZTSSe之间形成过厚的MoSe_2层使得Mo与CZTSSe之间无法形成欧姆接触。在本报告中,我们将报道我们小组近年来在CZTSSe薄膜太阳电池的界面上的一些研究进展。我们不但研究了CZTSSe/缓冲层之间的能带匹配,而且通过调整硒化过程或Mo的表面形貌实现了Mo与CZTSSe之间的欧姆接触。我们同时也研究了二次相对器件性能的影响。
【作者单位】:南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【分类号】:TB383.2;TM914.4

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