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《中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集》1997年
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场发射阴极在微波管中的应用

彭自安  李兴辉  
【摘要】:正一、前言早在二十年代人们就已经知道导体表面在强电场(约10~7V/cm)作用下,可以产生场发射电子.长期以来,由于技术上的原因,只有在高电压下,导体尖端才会达到这样高的电场,因此场发射阴极一直没有能用于电子器件中去.薄膜场发射二极管阵列(FEA)阴极的发明和真空微电子学的兴起,使它进入实际应用,特别是在微波管中的应用成为可能.
【作者单位】:北京真空电子技术研究所
【分类号】:TN12

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