收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

一种自对准栅场致发射阵列的制作工艺

何国鸿  陈抗生  
【摘要】:正一、引言为了调制或放大信号,几乎所有的真空微电子器件都需要用到带门栅的场致发射体。然而,要获取高支取电流和好的栅控特性,除了采用低功函数材料制作尖端并使尖端足够小之外,另一方面就是要使门栅尽可能地靠近尖端,以降低栅控电压,提高跨导。本文介绍了一种制备带门栅场发射阵列的自对准工艺,详细叙述了工艺制备过程,并给出了制得样品的扫描电镜照片。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 李淑芳;65nm自对准栅PM-Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.20)In_(0.80)As HEMT[J];固体电子学研究与进展;1992年04期
2 张汉三;;f_T超过300GHz的650 自对准栅PHEMT[J];微纳电子技术;1993年03期
3 陈克金,周焕文,李祖华;Ku波段高功率GaAs FET[J];固体电子学研究与进展;1996年01期
4 周洪军,尉伟,洪义麟,徐向东,陶晓明,霍同林,付绍军,裴元吉;场致发射阵列制作工艺的研究[J];微细加工技术;2001年03期
5 J.Wholey;袁明文;;具有自对准沟道的微波低噪声场效应晶体管[J];微纳电子技术;1980年02期
6 张弛;;日电研制X波段自对准栅增强型InP MISFET[J];微纳电子技术;1982年06期
7 刘善喜,皮德富,郑玉琦;硅场致发射阵列的工艺研究[J];真空科学与技术学报;1994年02期
8 钱莉,李伟华;自对准双栅MOSFET的结构与工艺实现[J];电子器件;2002年03期
9 Kazuhiko ITO;王云生;;用于MMIC的自对准平面GaAs MESFET工艺[J];微纳电子技术;1988年05期
10 王保平,谢吉华;场致发射阵列真空荧光平板显示屏的若干问题[J];云南大学学报(自然科学版);1992年S1期
11 吴金生;;场致发射体的近况简介[J];真空电子技术;1983年04期
12 李志能,刘杰明,陈秀峰;真空微电子荧光平板显示器件的实验研究[J];真空科学与技术学报;1996年04期
13 段新超;王小平;王丽军;王隆洋;张雷;;平板显示用场发射冷阴极材料[J];材料导报;2008年01期
14 东邵;;砷化镓自对准栅场效应晶体管[J];微纳电子技术;1975年05期
15 K. L. Tan;邱素娟;;制造低功耗亚毫微秒静态随机存储器的亚微米自对准栅GaAs MES FET技术[J];微纳电子技术;1988年05期
16 赵宏卫,汪琛,黄仲平,王保平,童林夙;掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究[J];真空科学与技术学报;1997年05期
17 郭维廉;梁惠来;宋瑞良;张世林;毛陆虹;胡留长;李建恒;齐海涛;冯震;田国平;商跃辉;刘永强;李亚丽;袁明文;李效白;;栅型共振隧穿晶体管的设计与研制[J];半导体学报;2006年11期
18 刘思荣;;自对准MOS工艺[J];微电子学;1973年04期
19 L.Young;立风;;微波管研究趋向[J];真空电子技术;1979年02期
20 陆懋权;;国外场致发射器件的新构思与进展[J];光电子技术;1991年02期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 何国鸿;陈抗生;;一种自对准栅场致发射阵列的制作工艺[A];中国电子学会真空电子学分会第十届年会论文集(下册)[C];1995年
2 季旭东;;在FEA中使用的MOSFET技术[A];中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会论文集[C];1999年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 刘恋;一种新型可折叠场致发射阴极制备工艺研究[D];武汉理工大学;2008年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978