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基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析

李龙志  杨建义  王明华  江晓清  
【摘要】:初步分析了基于于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时, 在垂直材料表面内1 μm深度处,对1.55 μm(1.3l μm)的传输光可以达到-10-2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。

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