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《浙江省电子学会2006年学术年会论文集》2006年
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InP衬底上电容和电阻的建模

何丹  孙玲玲  
【摘要】:在射频集成电路中,InP衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了InP衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型。测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好,从而证明该文提出的模型足以准确地描述InP衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性。另外,InP和GaAs同属于III-IV族化合物,它们具有相似的性质,因此,该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻。
【作者单位】:杭州电子科技大学CAD所
【基金】:国家自然科学基金资助项目(90207007)
【分类号】:TN402

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