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《第六届华东三省一市真空学术交流会论文集》2009年
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ZnO一维纳米材料在Cu-Zn合金基片上的大面积直接生长及场发射性能研究

胡业旻  王学斌  霍开富  吴强  胡征  
【摘要】:正ZnO一维纳米材料的合成、电学和光学特性等研究已成为当今世界范围内的研究热点。其中,ZnO一维纳米材料结合了其优异的理化性能和长径比大的结构特点,有望成为理想场发射材料的候选者。在场发射器件等特定的应用场合,需要在导电性基片上大面积合成与基片黏附力强、电阻率低的ZnO一维纳米结构阵列。通过直接氧化Zn片的方法,可在500~600℃的反应温度下,于金属Zn片上合成与基片结合紧密、导电性好的ZnO纳米带阵列,但是,由于反应温度超过了Zn的熔点(420℃),Zn片会扭曲变形,无法得到大面积有序ZnO纳米带阵列。
【作者单位】:南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室
【分类号】:TB383.1

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