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《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》2009年
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脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜

廖秀尉  朱俊  罗文博  郝兰众  
【摘要】:正本工作采用LiNbO_3单晶靶材(Li:Nb=48:52),以脉冲激光沉积法(PLD)在GaN(0001)基片上沉积制备了(0001)取向的LiNbO_3薄膜。对采用脉冲激光沉积法制备LiNbO_3薄膜的工艺进行了系统的研究;利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响。
【作者单位】:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【分类号】:TB383.2

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