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《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》2009年
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STO/MgO/GaN多层薄膜制备研究

周文  朱俊  罗文博  李言荣  
【摘要】:正SrTiO_3(STO)为钙钛矿结构的氧化物,具有较大的介电常数,被广泛应用于微波、微电子、存储等领域。GaN具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,非常适用于制作高频、高速、抗辐射、大功率、高集成度的电子元器件。将STO薄膜与GaN集成,可用作微波电路混合集成电路中的电容以及MOS器件的栅介质材料。但是,STO为立方钙
【作者单位】:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【分类号】:TB43

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