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两种结构SED器件电子发射特性对比

王辉  梁海峰  孟令国  刘纯亮  
【摘要】:文章中采用铝-氮化铝薄膜材料作为 SED 器件的电子发射层,采用磁控溅射的方法镀电子发射层,采用电子束蒸发的方法镀铬-铜-铬材料作为电极;电形成过程中采用电压幅值恒定、周期性重复的脉冲和电压幅值渐增的电压脉冲作为电极电压。另外根据先镀电极和先镀电子发射层不同的制作流程制作出两种不同结构的 SED 电子发射阴极。经过实验我们发现(1)对于发射层位于电极之上的结构观测到可测量的发射电流(2)当电子发射层位于电极之上,一排电子发射单元的总电阻介于20~150 Ω之间时,电形成过程中,给电极间加脉冲电压,在第一个脉冲周期中就能把 Al-AlN 电子发射薄膜烧断;而对于电子发射层位于电极之下的结构,在电形成过程中,则需要几个脉冲周期之后才能将电子发射薄膜烧断。

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