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《中国真空学会2008年学术年会论文摘要集》2008年
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M-TCNQ准一维纳米结构的研究

陈国荣  郑凯波  
【摘要】:近年来,分子电子学的兴起引起了人们对有机分子、聚合物以及生物材料等在电子学领域中的应用的研究热潮。这些分子材料具备独特的性能,在某些方面可以克服常见 Si 集成电路中的缺点, 如功率损耗较大、器件集成度限制等。有机物 TCNQ(7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane;7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷)是一种电子受体,可以与很多电子给体(如 TTF,碱金属或碱金属卤化物,过渡金属,稀土金属等)形成稳定的简单或复合型电荷转移金属有机配合物(M-TCNQ)。这些金属有机配合物 M(如 Ag,Cu,K)-TCNQ 具有优异的光、电特性,被认为是理想的分子电子学材料。从体材料到薄膜材料,人们对 M-TCNQ 的各种合成方法、成分结构和性能分析进行了大量的研究。它的晶体有准一维的导电特性,而且在一定电场强度作用下呈现出负阻特性。用它们制成的薄膜有些具有光致变色特性,可用于光存储;有些具有电双稳特性,电阻率有高、低二种不同的状态,而且两种状态的电阻率相差10~5~10~7数量级,具有开关效应。可用于作为高密度存储器。另一方面,有报道称有机体系的尺寸效应与无机体系有许多不同之处。因此研究有机纳米材料形貌、尺寸和维数以及它们对电学和光学性能的影响将是材料研究中的重要科学问题。将 M-TCNQ 制成纳米一维结构(线、管等);研究它们具有何种特殊的物理性质(特别是电学的与光学的),如何利用其特性制成纳米尺度的器件具有重要学术意义和应用价值。本文将介绍我们课题组的部分研究结果,包括 M-TCNQ 纳米准一维结构(线、管等)的制备方法、形貌、结构、电学性质以及有它们组成的纳米电子器件原型(如发射显示、抗辐射高速过电压保护器)等。这些结果均属本课题组在国际上首次报道。
【作者单位】:复旦大学材料科学系
【分类号】:TB383.1

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