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《TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》2007年
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基于Al-W多层膜系布拉格反射层的薄膜体声波谐振器(FBAR)的研究

李侃  董树荣  王德苗  
【摘要】:采用磁控溅射方法制备了基于布拉格反射层的、将 AlN 作为压电层的薄膜体声波谐振器(FBAR)。分析了用于 FBAR 的布拉格反射层的基本原理,首次提出将 Al-W 两种具有显著的声阻抗差别的材料作为布拉格反射层,采用直流磁控溅射技术在硅片上交替沉积 Al-W 多层膜系,采用热退火工艺改善布拉格反射层的性能。并在其上利用射频反应磁控溅射技术成功制备出具有高 c 轴择优取向的 AlN 薄膜,成膜速率达到1.2um/h。扫描电镜(SEM)图表明,反射层的剖面型态良好,界面清晰。X 射线衍射(XRD)图表明生长在反射层之上的 AlN 薄膜(002)面 X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,择优取向良好。仿真结果表明,基于 Al-W 膜系布拉格反射层的 FBAR 有效机电耦合系数 K_(eff)和 Q 值分别可达 4.27%,4823。

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