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《TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》2007年
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Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其相关性能

潘峰  宋成  刘雪敬  
【摘要】:稀磁半导体以其独特的结构与性能引起人们极大关注,Co 掺杂 ZnO 具有高的居里温度而成为有应用前景的稀磁半导体材料之一。作者采用射频反应共溅射的方法成功制备出具有高度 c 轴取向的和单晶结构的 Co:ZnO 薄膜,通过工艺参数的调整制备出缺陷密度不同的稀磁材料,证明结构缺陷可显著增强该类材料稀磁特性。利用具有半导体特性的 Co:ZnO 材料与具有绝缘特性的 ZnO 材料成功构造出具有单晶外延结构的 Co:ZnO/ZnO/Co:ZnO 结,在4K 时其隧道磁电阻 TMR 可达到20.8%,室温时仍然保持0.35%。

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