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《第八届全国真空冶金与表面工程学术会议论文摘要集》2007年
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直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜表面形貌的影响

王贺权  巴德纯  沈辉  闻立时  
【摘要】:应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据。通过扫描电子显微镜发现当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为120 ℃的条件下,制备的TiO2薄膜的表面形貌呈现为疏松多孔的特性。因此是最有可能制备TiO2染料敏化太阳电池的工艺条件。

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