原子层沉积高k介质膜的新进展
【摘要】:本文介绍原子层沉积(ALD)技术的发展背景、特点和原理,阐述发展高k介质的必要性。通过介绍高k介质的特点及其对沉积工艺的要求,说明ALD技术适合于沉积高k介质的原因。着重介绍国际上采用ALD工艺沉积高k介质所取得的最新进展。最后,指出还有待解决的问题和未来的发展趋势。
【相似文献】 | ||
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
相关机构 | ||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||
相关作者 | ||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||