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《真空冶金与表面工程——第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集》2007年
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原子层沉积高k介质膜的新进展

叶位彬  黄光周  朱建明  戴晋福  
【摘要】:本文介绍原子层沉积(ALD)技术的发展背景、特点和原理,阐述发展高k介质的必要性。通过介绍高k介质的特点及其对沉积工艺的要求,说明ALD技术适合于沉积高k介质的原因。着重介绍国际上采用ALD工艺沉积高k介质所取得的最新进展。最后,指出还有待解决的问题和未来的发展趋势。

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