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《全国薄膜技术学术研讨会论文集》2006年
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射频辉光放电自偏压对类金刚石碳膜结构和性能的影响

楚信谱  苟伟  李国卿  柳翠  
【摘要】:采用高压探头示波器系统研究了射频辉光放电参数对自偏压的影响规律。结果发现自偏压随着射频功率平方根而线性增加,随纯Ar和Ar,C2H2混合气体气压的降低而降低,自偏压随C2H2的比率增大而增加,而且,射频输入功率在500和 700W下,由射频辉光放电所制备的类金刚石薄膜分别通过Raman光谱和纳米压痕技术测试,研究了这些薄膜的微观结构和机械性能。功率500 W制备的类金刚石薄膜(ID/IG为0.66)较700 W制备的类金刚石薄膜(ID/IG为1.44)具有较高的硬度和 sp3键含量,表明在 500 W功率下制备的类金刚石薄膜中有高含量的sp3键。

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