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《全国薄膜技术学术研讨会论文集》2006年
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n-BN/p-Si薄膜异质结的Ⅰ-Ⅴ特性

陈浩  邓金祥  陈光华  刘钧锴  田凌  
【摘要】:用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质。注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5-6 Ω·cm)衬底上, 靶材为h-BN靶(纯度为99.99%)。离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2。对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质。实验结果表明:离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合“隧道-复合模型”理论。

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【参考文献】
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【共引文献】
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