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Ge纳米点/非晶Si多层异质薄膜的金属Ni横向诱导晶化

鄢波  施毅  张匡吉  濮林  韩平  张荣  郑有炓  
【摘要】:正 利用LPCVD方法在SiO_2/Si(100)衬底上生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构。然后在低温下(低于550℃),利用金属Ni 诱导结构中的非晶Si 横向结晶(MILC)。通过对薄膜的光学显微镜,透射电镜(TEM)等研究表明,与单一非晶Si 系统的金属Ni 诱导相似,该多层结构中的各非晶Si 层退火后也具有(110)择优取向。同时根据Raman 光谱分析,Ge 点中的应力变化揭示了诱导结晶后高质

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