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《中国真空学会第六届全国会员大会暨学术会议论文集》2004年
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Fe~(3+)离子敏感Ge-Sb-Se-Fe(Ni)系薄膜的掺杂行为研究

张海芳  杜丕一  翁文剑  韩高荣  
【摘要】:本文用电子束蒸发方法制备了掺Fe、Ni的Ge-Sb-Se-Fe(Ni)薄膜。Hall效应测得薄膜均为p型半导体。对薄膜的研究表明Ge-Sb-Se中不同过渡金属元素掺杂因失电子能力差异而形成了不同的网络结构,高电负性过渡金属元素掺杂倾向于形成较少缺陷态的网络结构;A1的热扩散共掺杂使载流子浓度提高,且其浓度的提高可以抵消杂质散射引起的迁移率下降,降低薄膜的方块电阻。

【共引文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 张海芳;掺杂Ge-Sb-Se系Fe~(3+)、Cd~(2+)离子敏感薄膜结构与性能研究[D];浙江大学;2006年
【相似文献】
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 张海芳;杜丕一;翁文剑;韩高荣;;Fe~(3+)离子敏感Ge-Sb-Se-Fe(Ni)系薄膜的掺杂行为研究[A];中国真空学会第六届全国会员大会暨学术会议论文集[C];2004年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 张海芳;掺杂Ge-Sb-Se系Fe~(3+)、Cd~(2+)离子敏感薄膜结构与性能研究[D];浙江大学;2006年
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