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《薄膜技术学术研讨会论文集》2003年
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射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究

张翼英  杜丕一  韩高荣  
【摘要】:本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究。用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表面形貌分析。测试结果显示在所沉积的薄膜中含有Si-C键,分布于结晶性好的Si晶粒之间。

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