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《2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集》2001年
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Si(001)表面上有序In纳米线阵列的制备

厉建龙  梁学锦  贾金峰  薛其坤  
【摘要】:正 低维量子结构具有其体材料所不具有的特殊物理和化学性质,并且有可能利用它们制备全新的光电子、微电子器件,所以长期以来低维量子结构的研究一直是一个很活跃的课题[1-3]。我们利用金属/半导体外延技术在具有特定周期性的Si(001)-2xn衬底上生长出了In纳米线阵列,并利用扫描隧道显微镜(谱)列其生长过程及结构进行了研究。我们发现,在Si(001)-2xn表面In占据2xl二聚体键的

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