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《2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集》2001年
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Ge/Si异质结构纳米晶粒及电荷存储特性研究

施毅  杨红官  吴军  袁晓利  顾书林  张荣  沈波  韩平  郑有炓  
【摘要】:正 近年来,人们在纳米晶粒浮栅结构的MOSFET存储器研究方面已经做了大量的工作。这类存储器具有高密度、低功耗、多阈值、易与逻辑电路集成等特点,被认为是将首先在大规模集成电路中得到应用的纳米量子功能器件。目前,在纳米晶粒的MOSFET存储器应用前,仍有许多问题待以解决,特别是擦写时间和存储时间之间的矛盾。原理上,直接隧道氧化层厚度是影响存储器的擦写和存储

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