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《2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集》2001年
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In_xGa_(1-x)As/GaAs自组织量子点材料、物理与器件

牛智川  王晓东  汪辉  孔云川  澜清  周大勇  苗振华  封松林  
【摘要】:正 系统开展了分子束外延生长InGaAs/GaAs自组织量子点材料机理、物理特性和激光器制备研究。分别用GaAs和三种不同In组份(x分别为0.1,0.2,和0.3)InxGa1-xAs作覆盖层的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性。低温光荧光(PL)谱测试结果表明:与GaAs作覆盖层的:InAs/GaAs量子点结构相比,用3纳米的InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点,其发光峰能量明显向低能端移动(红

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