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《第十二届全国MOCVD学术会议论文集》2012年
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不同单体在ZnO(0001)-Zn极性面上生长的机制

江保锋  陈晓航  詹华瀚  周颖慧  王惠琼  李书平  康俊勇  
【摘要】:正ZnO作为第三代的宽禁带化合物半导体,其禁带宽度约为3.37eV,恰好对应紫外光激发区域。与GaN相比,ZnO具有更高的激子束缚能和更良好的热稳定性,因此ZnO在短波长光电器件,如紫外探测器、发光二极管和半导体激光器以及太阳能电池等诸多领域有着广泛的应用前景,制备高质量的ZnO单晶薄膜已成为当前半导体材料研究的热点之一。为了提高单晶薄膜材料的质量,必须了解生长过程中的一系列表面原子动力学过程,但在实验上分析表面扩散比较困难。早前,MomoiiKubo等人通过分
【作者单位】:厦门大学 福建省半导体材料及应用重点实验室,物理系
【分类号】:TN304.21

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【共引文献】
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1 李琳;季振国;张亚红;韩伟智;;氧化锌薄膜紫外光电导机理研究[J];半导体光电;2006年01期
2 朱丽红;许海军;姚志涛;李新建;;ZnO/Si纳米孔柱阵列的真空蒸镀及其光致发光特性[J];半导体光电;2008年01期
3 孙剑;白亦真;谷建峰;刘明;张庆瑜;;基片温度对金刚石上沉积ZnO薄膜特性的影响[J];半导体光电;2008年06期
4 唐平;廖雷;蒋坤朋;余卫平;覃爱苗;;基于可见光响应的纳米硒半导体器件[J];微纳电子技术;2012年01期
5 郭俊福;谢家纯;段理;何广宏;林碧霞;傅竹西;;Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)[J];半导体学报;2006年01期
6 李瑛;冯士维;杨集;张跃宗;谢雪松;吕长志;卢毅成;;ZnO单晶薄膜光电响应特性[J];半导体学报;2006年01期
7 张源涛;马艳;张宝林;杜国同;;氢化对ZnO发光性质的影响[J];半导体学报;2008年03期
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3 陈宇晖;姜建华;黄月霞;朱源泰;韦莉;;溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌透明导电膜及其性能研究[A];上海市化学化工学会2010年度学术年会论文集[C];2010年
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8 孙锋;锂氮共掺杂p型ZnO的制备及其光电器件研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
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8 贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜;GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积[J];中国科学E辑;2000年02期
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7 程兴旺;翟斐斐;于宙;唐波;李祥;;线形结构的ZnO生长与光致发光特性研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(1)[C];2007年
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2 朱文君;ZnO纳米棒状结构制备及其光电器件研究[D];吉林大学;2010年
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6 刘明;水热法制备过渡金属掺杂ZnO及其光学性质研究[D];西北大学;2011年
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8 马向丽;ZnO薄膜及其光电器件的室温制备及性能研究[D];浙江大学;2011年
9 刘雪珍;Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构、光学及磁学性质[D];大连理工大学;2011年
10 胡禹;低压ZnO薄膜晶体管研制[D];湖南大学;2010年
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