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《第十二届全国MOCVD学术会议论文集》2012年
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超高亮度绿光LED产业化技术研究

吴志强  叶孟欣  潘群峰  
【摘要】:本文着重介绍三安在超高亮度绿光产业化技术研究方面的最新进展。通过新型复合式量子阱的应力匹配设计,同时搭配新型P型限制发射层提供高浓度的空穴载流子,显著提高绿光LED的内量子效率。通过双重电流阻挡结构设计和电极优化设计,绿光LED芯片取光效率得以大幅提升。本文报道的530nm绿光LED,20mA工作电流下,外量子效率达36.7%,为目前业界领先水平。通过新型的外延结构与芯片设计,并搭配新型的监控点建立,我们已实现超高亮度绿光LED技术产业化。
【作者单位】:三安光电股份有限公司
【分类号】:TN312.8

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