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《有色金属工业科学发展——中国有色金属学会第八届学术年会论文集》2010年
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真空区熔技术制备探测器级硅单晶工艺研究

蒋娜  
【摘要】:采用鸭嘴形平板式线圈制备区熔真空高阻硅单晶,研究了加热线圈内径和内厚(线圈内径处铜板厚度)对拉晶移速、使用功率和单晶质量的影响。结果表明:减小加热线圈的内径可以将磁力线集中,增大磁场,加强耦合;减小加热线圈内厚可以增大加热线圈的尖角效应,产生狭窄磁场,使熔区变短,对成晶有利。
【作者单位】:峨嵋半导体材料研究所
【分类号】:TN304.12

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 闫萍;张殿朝;庞丙远;索开南;;真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命[J];半导体技术;2008年11期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 索开南;闫萍;张殿朝;庞炳远;刘燕;董军恒;;真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化[J];半导体技术;2008年S1期
2 闫萍;张殿朝;索开南;庞炳远;;高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化[J];半导体技术;2010年12期
3 索开南;闫萍;庞炳远;张殿朝;;真空区熔提纯在探测器级硅单晶生长中的作用[J];天津科技;2010年06期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 蒋娜;袁小武;张才勇;;单晶硅生长技术研究进展[A];第二十八届全国化学与物理电源学术年会论文集[C];2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 赵瑛;基于噪声的pn结材料辐射损伤评价方法研究[D];西安电子科技大学;2011年
2 赵鸿飞;硅材料抗辐射能力噪声评价技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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3 郭立洲;Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究[J];稀有金属;2002年06期
4 黄志方;小内径加热线圈的提出——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之一[J];稀有金属;1978年05期
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6 杨启基,阙端麟;高阻探测器级硅单晶[J];稀有金属;1987年03期
7 林茂才,袁祥林;对国产探测器级P型硅单晶的评价[J];稀有金属;1986年02期
8 徐小琳,王家英,张明志,丁炳善,孟祥提,赵金良,杜光庭;探测器级硅的辐照技术研究[J];稀有金属;1986年02期
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中国重要会议论文全文数据库 前4条
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3 王莹莹;;硅片去边工艺的研究[A];第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议论文集[C];2011年
4 卢殿通;;离子注入SOI材料的制备、性能及应用[A];Hyperfine Interaction and Nuclear Solid State Physics--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop[C];2001年
中国重要报纸全文数据库 前10条
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10 记者 王众;中厦电子:3年“孵化”10项国家专利[N];菏泽日报;2010年
中国博士学位论文全文数据库 前4条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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3 赵一英;氮和锗对直拉硅单晶机械性能的影响[D];浙江大学;2004年
4 李春龙;直拉重掺硼硅单晶中氧沉淀的研究[D];浙江大学;2003年
5 涂瑾;基于图像处理的直拉单晶直径测量系统的研究[D];浙江大学;2007年
6 王淦;微氮直拉硅单晶的机械性能研究[D];浙江大学;2002年
7 魏唱蕾;TDL-150型单晶炉炉体设计及炉内温场和氩气流场的数值模拟[D];西安理工大学;2007年
8 胡波;单晶硅中氧和碳的分布及控制方法[D];湖南科技大学;2009年
9 储佳;氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响[D];浙江大学;2001年
10 吴承龙;中子辐照微氮直拉硅单晶辐照效应的研究[D];浙江大学;2002年
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