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一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟

陈景升  左然  于海群  
【摘要】:正金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备蓝紫光发光二极管、大功率激光器和高电子迁移率晶体管(HEMT)等薄膜器件的关键工艺。在MOCVD中,为了得到均匀的组分和生长厚度,要求气流在平行于基片方向有均匀的温度场和浓度场,在垂直于基片方向有大的温度梯度,流动为平滑层流,没有涡旋,并且到达基片各点的反应粒子有相同的浓度。

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