收藏本站
《第十一届全国MOCVD学术会议论文集》2010年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

李忠辉  李亮  董逊  张岚  姜文海  
【摘要】:利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓度分别达到1580cm~2/Vs和1.0×10~(13)cm~(-2)。

免费申请
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 张雷;邵永亮;吴拥中;张浩东;郝霄鹏;蒋民华;;HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响[J];人工晶体学报;2011年04期
2 龚志华;赵莉萍;赵鸣;王宝峰;;部分Al替代Si后TRIP钢的贝氏体转变[J];金属热处理;2011年07期
3 刘国红;;ICP-OES法同时测定偏钒酸铵中的Al、Fe、Cd、As、Na、K、Si含量[J];中国西部科技;2011年22期
4 ;[J];;年期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 李忠辉;李亮;董逊;张岚;姜文海;;3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2 ;Fabrication of P-type Nonpolar GaN:Cu Ferromagnetic Films by Implantation[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
3 K.K.Leung;W.K.Fong;C.Surya;;Investigations of Hot-electron Degradations in GaN-LEDs[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
4 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集(下册)[C];2011年
5 尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;;P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
6 ;High Quality GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate Using High Temperature AIN Buffer Layer[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
7 王光绪;熊传兵;刘彦松;程海英;刘军林;江风益;;硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究[A];全国光电子与量子电子学技术大会论文集[C];2011年
8 徐现刚;;SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
9 曹健兴;李述体;范广涵;章勇;尹以安;郑树文;梅霆;苏军;;铝预处理对硅衬底上AIN缓冲层与GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
10 柳瑞清;刘东辉;胡斐斐;刘羽飞;;Si含量对铸态C72500合金的组织及性能影响[A];中国有色金属学会第十四届材料科学与合金加工学术年会论文集[C];2011年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 本报记者 霍娜 李慧芳;首都信息:城市“数字保姆” 不一样的SI[N];中国计算机报;2011年
2 肖冠丁;SiS高层北京释疑[N];中国计算机报;2002年
3 本报记者 张峻;SiS走进阳光灿烂的日子[N];电脑报;2001年
4 赛迪新型材料工程咨询中心 李国强;GaN:半导体材料生力军[N];中国电子报;2002年
5 四川 司马不如;聚焦sis745/740芯片组[N];电脑报;2001年
6 北京 欧阳长征;SiS315的中庸之道[N];电脑报;2001年
7 本报记者 曹开彬;Siebel圈地国内四大行业[N];中国计算机报;2001年
8 孙;升技发布Siluro MX 系列4款显卡[N];中国计算机报;2001年
9 中国电子信息产业发展研究院软件与信息服务业研究所副所长 牟淑慧;SI转型提供综合服务是必然选择[N];中国计算机报;2010年
10 赛迪评测配件实验室 孙海涛;正是春风得意时[N];中国计算机报;2001年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 肖宗湖;具有垂直结构和电镀金属基板的Si衬底GaN基LED研究[D];南昌大学;2010年
2 龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年
3 吕志勤;高质量GaN基材料外延生长工艺及其光电特性研究[D];华中科技大学;2012年
4 王福学;GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究[D];南京大学;2011年
5 梅俊平;预处理与离子注入GaN外延材料的性能研究[D];河北工业大学;2011年
6 徐大庆;GaN基稀磁半导体的理论与实验研究[D];西安电子科技大学;2009年
7 刘战辉;氢化物气相外延GaN材料性质研究[D];南京大学;2012年
8 张森;AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究[D];哈尔滨工业大学;2011年
9 王如;HVPE法制备GaN体材料的研究[D];河北工业大学;2010年
10 周圣军;大功率GaN基LED芯片设计与制造技术研究[D];上海交通大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 颜怀跃;Si衬底上GaN厚膜生长及Cr掺杂GaN性质研究[D];南京大学;2011年
2 谢圣银;增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究[D];电子科技大学;2010年
3 肖友鹏;Si衬底GaN基功率型LED芯片性能研究[D];南昌大学;2010年
4 武晓莺;X波段GaN微波单片低噪声放大器的设计[D];西安电子科技大学;2010年
5 汪延明;Si衬底GaN基电镀金属基板LED性能研究[D];南昌大学;2010年
6 梁晓祯;In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析[D];西安电子科技大学;2011年
7 王水力;介电氧化物/GaN基半导体异质结构的电学性能研究[D];电子科技大学;2011年
8 陈睿姝;GaN/ZnO基异质结发光器件的制备与研究[D];大连理工大学;2010年
9 徐浩;GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究[D];西安电子科技大学;2010年
10 徐超;GaN基HEMT器件按比例缩小规律的研究[D];西安电子科技大学;2010年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026