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《第十一届全国MOCVD学术会议论文集》2010年
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P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究

尹以安  李述体  梅霆  范广涵  周天明  
【摘要】:本文应用MOCVD系统,通过霍尔、电化学C-V、XRD、PL等测量手段,详细的研究了P型InGaN/GaN超晶格中阱和垒的掺镁量与载流子浓度关系,并优化出最佳的掺镁量。同时还比较了阱不掺镁而垒掺镁的样品与阱和垒都掺镁的样品的霍尔结果,发现阱不掺镁的情况下,获得室温下空穴浓度为6.87×10~(18)cm~(-3),迁移率40cm^2/(VS)。比阱和垒都掺镁的情况下(其空穴浓度为:1.2×10~(18)cm~(-3),迁移率为:11cm^2/(VS))的空穴浓度大5倍多,迁移率大将近3倍。本文还研究了退火温度对P型InGaN/GaN超晶格晶体质量和空穴浓度的影响,发现两步法退火有利于提高P型InGaN/GaN超晶格空穴浓度和晶体质量。
【作者单位】:华南师范大学
【分类号】:TN304.055

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