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《第十一届全国MOCVD学术会议论文集》2010年
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AlInN基紫外LED的研制

尹以安  毛明华  张保平  刘宝林  李述体  
【摘要】:利用LP-MOCVD系统在Al_2O_3衬底上生长了与GaN晶格匹配的AlInN材料和Al_xIn_(1-x)N/Al_yIn_(1-y)N多量子阱结构的LED。通过HRXRD,PL等测量方法研究了生长参数对材料的结构质量、组分等的影响。研究发现,在室温65mA的注入电流下,获得了发光波长峰值为338nm的紫外LED。
【作者单位】:华南师范大学 厦门大学 物理系
【分类号】:TN312.8

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