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《第十一届全国MOCVD学术会议论文集》2010年
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Investigations of Hot-electron Degradations in GaN-LEDs

K.K.Leung  W.K.Fong  C.Surya  
【摘要】:正In this paper we present experimental investigations on the physical processes underlying the hot-electron degradation of GaN LEDs.Systematic studies on the microstructure,thermoreflectance and low-frequency noise properties were performed on two different types of devices which were grown using two different sets of growth parameters.It was found that under low growth-rate conditions the InGaN quantum wells(QWs) were dominated by the spiral growth mode resulting high rates of defect generation as a function of the stress time as well as the formation of localized hotspots under high current bias which are directly linked to the final failure of the device.

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