高性能SiCp/Al电子封装壳体的近终成形研究

【摘要】：采用粉末注射成形制备SiC_p预成形坯体和Al合金熔渗相结合的技术实现了高性能SiC_p/Al电子封装壳体的近终形成形,壳体尺寸精度优于0.3%。注射成形制备SiC_p预成形坯体的最佳参数为注射温度160℃,注射压力70MPa,脱脂并经1100℃,7h小时真空预烧结,最终可以获得强度为4MPa,开孔孔隙率高于98%的SiC预成形坯体。熔渗工艺中需要严格控制熔渗时间,熔渗时间过长会导致坯体被Al熔体过度熔浸,在复合材料表面产生Al合金层,Al合金层厚度随保温时间的延长而增加。所制备的SiCp/Al复合材料封装壳体的热物理性能优异,热膨胀系数为7.2×10~(-6)K~(-1),热导率为180(W/m·K),密度为3.00 g/cm~3,能够满足电子封装对材料性能的要求。