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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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一种新型透明导电薄膜In2O3:Mo与Si接触特性的研究

张希  张群  陆昉  
【摘要】:正在单晶硅片上用溅射法生长了一种新型透明导电膜 In_2O_3:Mo(IMO)。通过电学和光学测量手段, 我们研究了这种 IMO/Si 接触结界面处的能带排列。对 IMO/p-Si 样品进行电容一电压(C-V)测试, 发现其具有很大的内建势(1.77eV),并由此得到了 IMO/p-Si 界面处的能带图。得到的 IMO 与 Si

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