收藏本站
《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长

王荣华  韩平  曹亮  王琦  梅琴  夏冬梅  谢自力  陆海  陈鹏  顾书林  张荣  郑有炓  
【摘要】:正由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大(~2.7eV),Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管(HBT)等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以获得较高的直流增益,增大夹止电压,缩短开关时间、从而降低能耗。但因其晶格失配较大(20%),且晶体结构不一致,GaN 和 Ge 很难在彼此的衬底上直接外延生长。

手机知网App
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 乔建良;高有堂;钱芸生;常本康;;负电子亲和势GaN光电阴极特性研究[J];南阳理工学院学报;2011年02期
2 梁建;赵丹;赵君芙;马淑芳;邵桂雪;许并社;;金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理[J];功能材料;2011年S4期
3 姚昌胜;付凯;王果;陆敏;;GaN基光导型X射线探测器的光淬灭研究[J];核电子学与探测技术;2011年05期
4 柯福顺;付相宇;段国玉;吴松;王松有;陈良尧;贾瑜;;CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响[J];红外与毫米波学报;2011年03期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 王荣华;韩平;曹亮;王琦;梅琴;夏冬梅;谢自力;陆海;陈鹏;顾书林;张荣;郑有炓;;GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
2 ;Fabrication of P-type Nonpolar GaN:Cu Ferromagnetic Films by Implantation[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
3 李忠辉;李亮;董逊;张岚;姜文海;;3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
4 K.K.Leung;W.K.Fong;C.Surya;;Investigations of Hot-electron Degradations in GaN-LEDs[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
5 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集(下册)[C];2011年
6 尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;;P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
7 ;High Quality GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate Using High Temperature AIN Buffer Layer[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
8 王光绪;熊传兵;刘彦松;程海英;刘军林;江风益;;硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究[A];全国光电子与量子电子学技术大会论文集[C];2011年
9 徐现刚;;SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
10 曹健兴;李述体;范广涵;章勇;尹以安;郑树文;梅霆;苏军;;铝预处理对硅衬底上AIN缓冲层与GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 赛迪新型材料工程咨询中心 李国强;GaN:半导体材料生力军[N];中国电子报;2002年
2 记者 包冉;塔多思CEO Dev Ganesan抵京[N];计算机世界;2002年
3 ;新一代光电材料:IT产业新动力[N];中国电子报;2002年
4 ;IT要帮助公司在网上赚钱[N];计算机世界;2000年
5 ;电子商务人才严重匮乏[N];计算机世界;2000年
6 卢业忠;LED市场前景光明[N];中国电子报;2000年
7 本报记者 周蕾;“翻译”软件赢世界[N];网络世界;2001年
8 华媒;报刊如何吸引年轻读者?[N];中国新闻出版报;2002年
9 IDG电讯;退费,重新分配3G许可证[N];计算机世界;2001年
10 记者 卢基荣;落户永定德泓[N];闽西日报;2011年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年
2 吕志勤;高质量GaN基材料外延生长工艺及其光电特性研究[D];华中科技大学;2012年
3 王福学;GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究[D];南京大学;2011年
4 梅俊平;预处理与离子注入GaN外延材料的性能研究[D];河北工业大学;2011年
5 徐大庆;GaN基稀磁半导体的理论与实验研究[D];西安电子科技大学;2009年
6 刘战辉;氢化物气相外延GaN材料性质研究[D];南京大学;2012年
7 张森;AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究[D];哈尔滨工业大学;2011年
8 王如;HVPE法制备GaN体材料的研究[D];河北工业大学;2010年
9 周圣军;大功率GaN基LED芯片设计与制造技术研究[D];上海交通大学;2011年
10 段焕涛;基于高温AIN成核层的GaN基异质结构材料生长研究[D];西安电子科技大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 谢圣银;增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究[D];电子科技大学;2010年
2 武晓莺;X波段GaN微波单片低噪声放大器的设计[D];西安电子科技大学;2010年
3 梁晓祯;In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析[D];西安电子科技大学;2011年
4 白云娜;GaN薄膜位错对载流子性能影响的研究[D];河北工业大学;2010年
5 王水力;介电氧化物/GaN基半导体异质结构的电学性能研究[D];电子科技大学;2011年
6 陈睿姝;GaN/ZnO基异质结发光器件的制备与研究[D];大连理工大学;2010年
7 徐浩;GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究[D];西安电子科技大学;2010年
8 徐超;GaN基HEMT器件按比例缩小规律的研究[D];西安电子科技大学;2010年
9 段超;GaN基材料和器件辐照可靠性研究[D];西安电子科技大学;2010年
10 王敏;衬底预处理对外延生长GaN薄膜性能的影响[D];河北工业大学;2010年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026