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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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时间分辨克尔旋光测量稀磁半导体(Ga,Mn)As的有效g因子

周蓉  窦秀明  孙宝权  
【摘要】:正本文以掺 Mn 浓度为6%的退火及未退火的(Ga,Mn)As 稀磁半导体体材料为研究对象,利用克尔磁光效应得到光注入自旋载流子的时间分辨动力学过程。实验中我们观察到了很多有趣的现象:1在很大的温度范围内,测得退火和未退火的稀磁半导体的有效 g 因子约为0.2~0.3,这表明轻重空穴耦合在一
【作者单位】:中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家实验室
【分类号】:O472.5

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