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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》 2007年
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Ⅳ-Ⅵ半导体量子点光学性质及理论模拟

徐天宁  吴惠桢  斯剑霄  
【摘要】:正Ⅳ-Ⅵ半导体材料如 PbSe、PbTe 具有窄带隙,正温度系数,低俄歇复合率等优点,在制备中红外半导体激光器和探测器方面具有重要应用。量子点结构具有类原子特性,作为有源层能够有效降低激光器的阈值电流,提高工作温度,因而 PbSe 量子点结构是制备室温连续工作中红外激光器的

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