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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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Si覆盖层对自组织生长Ge/Si量子点组分、应变的影响

林健晖  杨鸿斌  秦娟  章斌  樊永良  杨新菊  蒋最敏  
【摘要】:正本工作研究初始覆盖 Si 层的厚度和温度对自组织 Ge(Si)/Si(001)量子点形状、大小及其组分和应变的影响.量子点在400℃下覆盖 Si 层后,形貌均没有变化;在640℃下覆盖 Si 层后,形貌发生变化:覆盖3.2 (?),从圆顶演变为由{103}面围成的金字塔:覆盖6.4 (?),从圆顶演变为由{105}面围成的金字塔和棚屋.利用拉曼光谱实验探测量子点在覆盖 Si 层前后的组分和应力的变化.根据实验

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