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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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高铝组份AlGaN材料晶体质量和表面形貌研究

梁栋  袁凤坡  尹甲运  刘波  刘英斌  冯志宏  
【摘要】:正随着 GaN 材料的外延技术逐渐成熟,在此基础上人们开始了 AlGaN 探测器的研究工作。要达到日盲型紫外探测(截止波长小于280nm),必须使用 Al 组份高于40%的 AlGaN 材料作为有源层, 作为窗口层的 AlGaN 材料更需要达到60%左右。由于高 Al 组份的 AlGaN 材料生长过程中存在着
【作者单位】:专用集成电路国家级重点实验室
【分类号】:O471

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