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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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8GHz输出功率功率密度为11.7W/mm的凹栅AlGaN/GaN HFET的研究

冯震  张志国  王勇  默江辉  冯志红  蔡树军  杨克武  
【摘要】:正AlGaN/GaN HFET 具有高频、高输出功率密度的特性,成为各国研究的热点。受国内自主研发 GaN HEMT 外延材料质量的限制,器件输出功率密度低,本文利用 SiC 衬底采用 MOCVD 自主外延出高质量的 GaN HEMT 外延材料,材料的方块电阻达到260 Ω/口,(002)方向半峰宽小于300弧秒,

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