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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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(Ga,Cr)As外延薄膜的铁磁性来源

甘华东  郑厚植  毕京锋  邓加军  朱汇  姬扬  赵建华  
【摘要】:正大量的理论计算结果表明,在 GaAs 基稀磁半导体中,与(Ga,Mn)As 相比,(Ga,Cr)As 的铁磁性更强, 居里温度 TC 也更高。这些预言引发了大量的实验工作。迄今为止,实验上已观察到(Ga,Cr)As 外延薄膜的超顺磁、短程铁磁和长程铁磁行为,但对它的磁性来源存在许多争议。由于超导量子干涉器件(SQUID)
【作者单位】:中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
【分类号】:O484.1

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