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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究

程兴华  陈志涛  龚敏  于彤军  张国义  石瑞英  
【摘要】:正在过去的几年里,利用载流子自旋属性的自旋电子器件的研究引起了人们的极大关注,这也推动了对适用于自旋电子器件的新型半导体材料的探索和研究。基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的稀磁半导体(DMS) 材料被认为是极具发展潜力的材料,因为它不但支持自旋的储存和输运,而且以Ⅲ-Ⅴ族化合物稀磁半导体为材料制成的自旋电子器件还可以与现有的微电子器件和光电子器件相集成。在稀磁半导体材料中,

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