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《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》2007年
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Cr掺杂Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长

赵建华  郑玉宏  毕京锋  甘华东  王纬竹  鲁军  邓加军  姬扬  郑厚植  
【摘要】:正Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As 等由于同时具有半导体和铁磁体的性质而成为半导体自旋电子学研究的热点,十余年来人们对其开展了广泛的研究,居里温度已经从最初的几十 K 提高到173 K。但是只有居里温度在室温以上的稀磁半导体才能满足实际应用的要求,因此人们在试图提高
【作者单位】:中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室
【分类号】:O471.1

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