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《第十三届全国电子显微学会议论文集》2004年
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单晶硅摩擦致相变的SEM研究

李小成  吕晋军  高飞  杨生荣  
【摘要】:正 从Jamieson发现单晶硅的高压相变现象以来,有关单晶硅的高压相变的研究逐步开展起来,其最终目的之一就是通过金属延性相的出现来解决单晶硅的加工问题。Pharr、Gogotsi、zhang liangchi等人利用纳米压入技术系统研究了单晶硅的压力致相变

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