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《第十二届全国相图学术会议论文集》2004年
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磁性异质结中的半导体-金属转变现象

戴守愚  刘立丰  吕惠宾  陈正豪  
【摘要】:正众所周知,改变化学组份,改变原子排列的有序.无序排列,外加压力和磁场,以及温度的变化等等都可以诱发绝缘体(半导体)-金属转变。对于这一现象已有一系列物理模型描述这一物理现象,例如Wilson转变,Peierls转变,Mott,转变,Anderson转变模型等等。现在我们报道一种新型绝缘体-金属转变。它发生在p-n结中而不是发生在单质材料中或单一化合物中。我们的器件是用激光分子束外延(LMBE)技术在n型袿单晶(100)衬底上外延生长一层P型La0.9Sr0.1MnO3 (LSMO)薄膜组成。十分明显,硅是一种广泛用于集成电路的主要材料,LSMO是一典型的CMR
【作者单位】:中国科学院物理研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院物理研究所
【分类号】:TM271
【正文快照】:
众所周知,改变化学组份,改变原子排列的有序一无序排列,外加压力和磁场,以及温度的 变化等等都可以诱发绝缘体(半导体)一金属转变。对于这一现象己有一系列物理模型描述这一物 理现象,例如Wilson转变,Peierls转变,Mott,转变,Anderson转变模型等等。现在我们报道一种

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