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《第十五次全国焊接学术会议论文集》2010年
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Au-Si共晶扩散连接单晶硅接头的微观组织和性能研究

孙兵兵  李京龙  熊江涛  张赋升  籍成宗  
【摘要】:采用直接共晶和预共晶连接两种方法,对块体单晶硅扩散连接进行实验研究。结果表明:单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成。实验中微孔是个难以避免的缺陷,但随着连接温度升高,微孔数量会减少,即焊合率会增大。预共晶连接能有效地阻止微孔的产生,700°C时预共晶连接焊合率达87%,而直接共晶连接仅57%。预共晶连接接头拉伸强度较直接共晶连接低。因为预共晶连接主要在Au层发生断裂,故预共晶连接的残留Au层是个弱结合。直接共晶连接残余Au层很薄,平均厚度不足0.34μm,断裂主要发生在Au-Si界面上。
【作者单位】:西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室
【分类号】:TG407

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