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《第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集》2006年
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相变存储薄膜的纳米压痕及摩擦性能研究

丁建宁  解国新  
【摘要】:利用电子回旋共振CVD设备制备了GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性。结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb2Te4来说,施加1000i N左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、8.70GPa;湿度对Ge2Sb2Te5膜和针尖粘附的影响没有GeSb2Te4明显,而且粘附力的存在会造成摩擦系数的改变。

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