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《中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)》2005年
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纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究

吴成昌  肖夏  赵新为  张生才  
【摘要】:在n-Si(4-5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极。介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理。透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率。

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