纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究

【摘要】：在n-Si(4-5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极。介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理。透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率。

【作者单位】：天津大学天津大学东京理科大学天津大学
【基金】：天津市自然科学基金资助项目(043612311) 天津市外专局引智项目(2004074)
【分类号】：TN383.1

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