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单晶硅片的弹性变形法抛光新技术

孙军  王军  杨信伟  吕玉山  
【摘要】：本文基于弹性力学的接触理论,使用大尺寸环板中心负载和平面压头边界悬伸变形方式,提出了单晶硅片抛光的新工艺。研究的结果表明,利用该技术可使半导体晶片在抛光过程中获得均匀一致的材料去除,并且在给定的实验条件下使平面度达0.25～0.33μm/φ76mm,表面粗糙度Ra值分布不大于5%。

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