单晶硅片的弹性变形法抛光新技术
【摘要】:本文基于弹性力学的接触理论,使用大尺寸环板中心负载和平面压头边界悬伸变形方式,提出了单晶硅片抛光的新工艺。研究的结果表明,利用该技术可使半导体晶片在抛光过程中获得均匀一致的材料去除,并且在给定的实验条件下使平面度达0.25~0.33μm/φ76mm,表面粗糙度Ra值分布不大于5%。
|
|
|
|
1 |
吴明明,周兆忠,巫少龙;单晶硅片的制造技术[J];制造技术与机床;2005年03期 |
2 |
张峥,霍晓;CVD金刚石薄膜抛光技术的研究进展[J];真空科学与技术学报;2000年04期 |
3 |
金友;激光在光学玻璃抛光中的应用[J];光机电信息;2000年02期 |
4 |
王蓉蓉;MOS4K电路研制中的硅片制备[J];微电子学;1980年03期 |
5 |
;在快速可控硅生产中采用铬离子抛光的几点体会[J];半导体技术;1976年01期 |
6 |
李冰,郭霞,刘莹,李秉臣,王东凤,沈光地;蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究[J];半导体技术;2005年09期 |
7 |
本刊编辑部
,章定康
,林达全;现代计算机中的LSI/VLSI技术(二)——硅大圆片的加工[J];微电子学与计算机;1985年04期 |
8 |
周兆忠,袁巨龙,郑家锦,吕冰海;氮化铝基片超精密加工的实验研究[J];金刚石与磨料磨具工程;2005年02期 |
9 |
李铁英;无蜡抛光新工艺[J];半导体技术;1987年01期 |
10 |
高宏刚,陈斌,曹健林;超光滑光学表面加工技术[J];光学精密工程;1995年04期 |
|