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以P_w/p_g为组合变量的微晶硅薄膜的沉积相图

孙振中  刘丰珍  周玉琴  朱美芳  
【摘要】:本文定义了一个组合参量,等离子体功率与气压的比值,P_(w/P_g),并以P_(w/P_g)为主要变量,建立了射频PECVD制备硅薄膜的沉积相图。用光发射谱(OES)监测了等离子沉积过程,比较了不同沉积条件,相同P_(w/P_g)值下发光基元在等离子体中的空间分布,表明P_(w/P_g)是一个与等离子体中平均电子温度相关的组合参量,并通过单电子碰撞模型,揭示了相图所表达的物理本质。

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