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退火温度对ZnO:Al透明导电薄膜结构和性能的影响

王晓晶  徐玮  雷青松  于军  
【摘要】:采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO:Al薄膜,在200-600℃下退火。利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均大于85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32-3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在10~3Ω·cm量级。

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