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《第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代》2008年
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化学腐蚀和机械抛光方法改善硅片崩边的研究与应用

贺园园  姚振民  刘振淮  
【摘要】:边缘缺陷是多晶硅片生产中出现的主要缺陷之一。边缘缺陷会影响硅片外观,并进一步导致电池线制绒时的破片。经过长时间的观察,我们发现许多因素会影响太阳能级硅片的边缘缺陷,诸如:运输,带锯上的头尾截断,切片,去胶等等。我们试图改进开发新的工艺以减少由上述原因造成的边缘缺陷,例如:化学腐蚀和机械抛光,实验发现碱性腐蚀对硅片缺角、崩边改善效果最明显。
【作者单位】:硅片生产部,常州天合光能有限公司
【分类号】:TN304.12

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【共引文献】
中国博士学位论文全文数据库 前4条
1 霍凤伟;硅片延性域磨削机理研究[D];大连理工大学;2006年
2 张银霞;单晶硅片超精密磨削加工表面层损伤的研究[D];大连理工大学;2006年
3 苏建修;IC制造中硅片化学机械抛光材料去除机理研究[D];大连理工大学;2006年
4 张涛;核壳结构纳米复合材料和真空沉积硅薄膜的制备及电化学性能研究[D];复旦大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库 前5条
1 韦秋宁;单颗磨粒磨削硅片的试验研究[D];大连理工大学;2006年
2 徐超;MEMS固体微推进器的设计与制备[D];国防科学技术大学;2006年
3 马广义;薄硅片材料的激光弯曲试验研究[D];大连理工大学;2007年
4 张然;ULSI铜互连层CMP抛光液研究[D];大连理工大学;2007年
5 薛波;基于C/S构架的分布重复精缩机控制系统研制[D];厦门大学;2007年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 谢书银;硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用[J];电力电子技术;1999年03期
2 谢书银,石志仪;圆片冲击法测定硅片抗弯强度的研究[J];力学学报;1995年03期
3 谢书银,石志仪,蔡爱军,李立本,张锦心;硅片力学行为与表面损伤[J];中南工业大学学报(自然科学版);1998年04期
【相似文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 季智浩;硅片边缘等离子清洗技术及其工艺优化[D];复旦大学;2010年
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